SIHF22N60E-GE3, MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHF22N60E-GE3, MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 170 руб.
от 10 шт.990 руб.
от 25 шт.832 руб.
от 100 шт.666.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 170 руб.
Номенклатурный номер: 8004641819
Артикул: SIHF22N60E-GE3

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 21 A
Pd - рассеивание мощности 35 W
Qg - заряд затвора 57 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 27 ns
Время спада 35 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 66 ns
Типичное время задержки при включении 18 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet SIHF22N60E-GE3
pdf, 176 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов