SIS106DN-T1-GE3, MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
175 руб.
от 500 шт. —
138.19 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Решения для промышленного электропитанияVishay предлагает один из самых широких в отрасли наборов полупроводниковых и пассивных компонентов для промышленных источников питания. Ассортимент продукции Vishay для промышленных источников питания включает силовые МОП-транзисторы, силовые ИС, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 24 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18.5 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | SIS |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
