SISS46DN-T1-GE3, MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 10 шт. —
360 руб.
от 100 шт. —
267 руб.
от 250 шт. —
229.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Решения для промышленного электропитанияVishay предлагает один из самых широких в отрасли наборов полупроводниковых и пассивных компонентов для промышленных источников питания. Ассортимент продукции Vishay для промышленных источников питания включает силовые МОП-транзисторы, силовые ИС, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 50 S |
Id - Continuous Drain Current: | 45.3 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PowerPAK-1212-8S |
Pd - Power Dissipation: | 65.7 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 42 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.8 mOhms |
Rise Time: | 6 ns |
Series: | SIS |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0106Ом |
Power Dissipation | 65.7Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 45.3А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.4В |
Рассеиваемая Мощность | 65.7Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0106Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 194 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов