IRF9620STRLPBF, MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 руб.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
322 руб.
от 250 шт. —
275.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-263-3 |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 22 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
Series: | IRF |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 4 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов