AS4C64M16D3LB-12BCN, DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), COMMERCIAL TEMP - Tray

Фото 1/2 AS4C64M16D3LB-12BCN, DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), COMMERCIAL TEMP - Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 800 руб.
от 10 шт.1 570 руб.
от 100 шт.1 280 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 800 руб.
Номенклатурный номер: 8004654204
Артикул: AS4C64M16D3LB-12BCN

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
SDRAM - ИС памяти DDR3L 1 ГБ (64 МБ x 16) Параллельный 800 МГц 20 нс 96-FBGA (9x13)

Технические параметры

Access Time: 20 ns
Brand: Alliance Memory
Data Bus Width: 16 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 190
Manufacturer: Alliance Memory
Maximum Clock Frequency: 800 MHz
Maximum Operating Temperature: +95 C
Memory Size: 1 Gbit
Minimum Operating Temperature: 0 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 64 M x 16
Package / Case: FBGA-96
Packaging: Tray
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Series: AS4C64M16D3LB
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 72 mA
Supply Voltage - Max: 1.45 V
Supply Voltage - Min: 1.283 V
Type: SDRAM-DDR3L
Access Time 20ns
Clock Frequency 800MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0032
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 1Gb (64M x 16)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0В°C ~ 95В°C (TC)
Package Tray
Package / Case 96-TFBGA
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 96-FBGA (9x13)
Technology SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply 1.283V ~ 1.45V
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Вес, г 3.7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1950 КБ
Datasheet
pdf, 1964 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем