AS4C32M16SB-6TIN, DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM

AS4C32M16SB-6TIN, DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 370 руб.
от 10 шт.3 850 руб.
от 25 шт.3 500 руб.
от 108 шт.2 854.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 370 руб.
Номенклатурный номер: 8004654209
Артикул: AS4C32M16SB-6TIN

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
Память SDRAM IC 512 МБ (32M x 16) Параллельный 166 МГц 5ns 54-TSOP II

Технические параметры

Access Time: 5 ns
Brand: Alliance Memory
Data Bus Width: 16 bit
Factory Pack Quantity: 108
Manufacturer: Alliance Memory
Maximum Clock Frequency: 166 MHz
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 512 Mbit
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organisation: 32 M x 16
Packaging: Tray
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 120 mA
Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 3 V
Type: SDRAM
Access Time 5ns
Clock Frequency 166MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0028
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 512Mb (32M x 16)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 54-TSOP II
Technology SDRAM
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 12ns
Вес, г 13

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1267 КБ
Datasheet
pdf, 1969 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем