IRLZ24NSTRLPBF, MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
от 100 шт. —
320 руб.
от 800 шт. —
212 руб.
от 2400 шт. —
173.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 55В, 18А, 45Вт
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
Pd - рассеивание мощности | 3.8 W |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 105 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 74 ns |
Время спада | 29 ns |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Другие названия товара № | SP001559010 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8.3 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 7.1 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Base Product Number | IRLZ24 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 11A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±16V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet IRLZ24NSTRLPBF
pdf, 301 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов