HFA3127RZ, RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
734 шт., срок 7-9 недель
3 520 руб.
от 10 шт. —
3 000 руб.
от 20 шт. —
2 810 руб.
от 100 шт. —
2 213.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 520 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Технические параметры
Brand: | Renesas/Intersil |
Collector- Base Voltage VCBO: | 12 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 8 V |
Configuration: | Quint |
Continuous Collector Current: | 0.065 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 |
DC Current Gain hFE Max: | 40 at 10 mA at 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5.5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 100 |
Gain Bandwidth Product fT: | 8000 MHz(Typ) |
Manufacturer: | Renesas Electronics |
Maximum DC Collector Current: | 0.065 A |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Operating Frequency: | 8000 MHz(Typ) |
Package / Case: | QFN EP |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Series: | HFA3127 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar |
Type: | RF Bipolar Small Signal |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 767 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.