RJH65T46DPQ-A0#T0, IGBT Transistors IGBT - 650V/40A/TO-247A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
276 шт., срок 7-9 недель
1 660 руб.
от 10 шт. —
1 400 руб.
от 25 шт. —
1 180 руб.
от 100 шт. —
939.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 660 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Brand: | Renesas Electronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-1 uA |
Height: | mm |
Manufacturer: | Renesas Electronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247A-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 340.9 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 346 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.