T410-800B-TR, TRIAC Diode 800V 4A(RMS) 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 1/5 T410-800B-TR, TRIAC Diode 800V 4A(RMS) 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12500 шт., срок 6-8 недель
110 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт.95 руб.
Добавить в корзину 2500 шт. на сумму 275 000 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8004662068
Артикул: T410-800B-TR
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Discrete > TRIACs
Описание Симистор, 800В, 4А, DPAK, Igt: 15мА Характеристики
Категория Диод
Тип тринисторы
Вид симистор

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Current Rating: 4 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gate Trigger Current - Igt: 10 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 1.3 V
Holding Current Ih Max: 15 mA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +125 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current: 31 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 5 uA
On-State Voltage: 1.56 V
Package/Case: DPAK
Product Category: Triacs
Product Type: Triacs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 800 V
Series: T410
Subcategory: Thyristors
кол-во в упаковке 2500
Peak On State Voltage 1.56В
Thyristor Mounting Surface Mount
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt 1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt 10мА
Максимальный Ток Удержания Ih 15мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm 800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц 30А
Стиль Корпуса Симистора TO-252
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

CD00002383
pdf, 524 КБ
Datasheet
pdf, 486 КБ
Datasheet
pdf, 474 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Симисторы»

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.