BCW65ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.8 А

Фото 1/5 BCW65ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.8 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 266 шт.
от 363 шт.1.40 руб.
от 726 шт.1.20 руб.
Добавить в корзину 266 шт. на сумму 532 руб.
Номенклатурный номер: 8004663683
Артикул: BCW65ALT1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.8 А

Технические параметры

Корпус sot-23
Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 35
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.8 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.8 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BCW65AL
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage 60 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 32 V
Maximum DC Collector Current 800 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 225 mW
Minimum DC Current Gain 100, 250
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 70 КБ
Datasheet
pdf, 73 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов