GS8644Z18GE-200V, SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M
![GS8644Z18GE-200V, SRAM 1.8/2.5V 4M x 18 72M](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC012894028.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 6-8 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
37 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 800 руб.
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
NBT SRAMsGSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.
Технические параметры
Access Time: | 6.5 ns |
Brand: | GSI Technology |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 15 |
Interface Type: | Parallel |
Manufacturer: | GSI Technology |
Maximum Clock Frequency: | 200 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +70 C |
Memory Size: | 72 Mbit |
Memory Type: | SDR |
Minimum Operating Temperature: | 0 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organization: | 4 M x 18 |
Package / Case: | BGA-165 |
Packaging: | Tray |
Product Category: | SRAM |
Product Type: | SRAM |
Series: | GS8644Z18GE |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 250 mA, 315 mA |
Supply Voltage - Max: | 2.7 V |
Supply Voltage - Min: | 1.7 V |
Tradename: | NBT SRAM |
Type: | NBT |
Вес, г | 9.21 |
Техническая документация
Datasheet GS8644Z18GE-200V
pdf, 564 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары