APT27GA90BD15, IGBT Transistors IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 27 A TO-247
1 750 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 750 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 900 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 48 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 48 A |
| Continuous Collector Current: | 48 A |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 223 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IRGP4063DPBF, Транзистор IGBT 600В 96А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
