Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › BUX87, Bipolar Transistors - BJT NPN High ...

BUX87, Bipolar Transistors - BJT NPN High Volt Power

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7253 шт., срок 7-9 недель

330 руб.

от 10 шт. — 180 руб.

от 100 шт. — 154 руб.

от 500 шт. — 128.52 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8004672662

Артикул: BUX87

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Volt Power

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	40 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	450 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	20 MHz
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	BUX87
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-32-3
Base Product Number	BUX87 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	12 @ 40mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	20MHz
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-225AA, TO-126-3
Power - Max	40W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-32-3
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 20mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
RoHS Compliant	Yes
Maximum Collector Base Voltage	1000 V
Maximum Collector Emitter Voltage	450 V
Maximum DC Collector Current	500 mA
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	40 W
Minimum DC Current Gain	12
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-32
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.06