HMC1132PM5E, RF Amplifier 27 GHz to 32 GHz1W POWER AMPLIFIER

Фото 1/2 HMC1132PM5E, RF Amplifier 27 GHz to 32 GHz1W POWER AMPLIFIER
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
29 670 руб.
от 10 шт.24 400 руб.
от 20 шт.23 160 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 29 670 руб.
Номенклатурный номер: 8004690852
Артикул: HMC1132PM5E
Бренд: Analog Devices

Описание

Semiconductors\Wireless & RF Integrated Circuits\RF Amplifier
RF, микроволновая печь, amp; Миллиметровая волна ADI SLP

Технические параметры

Brand: Analog Devices
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 100
Gain: 22 dB
Input Return Loss: 6 dB
Manufacturer: Analog Devices Inc.
Maximum Operating Temperature: +85 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
OIP3 - Third Order Intercept: 35 dBm
Operating Frequency: 27 GHz to 32 GHz
Operating Supply Current: 700 mA
Operating Supply Voltage: 4 V to 6 V
P1dB - Compression Point: 30 dBm
Package/Case: LFCSP-32
Packaging: Tape
Pd - Power Dissipation: 5.49 W
Product Category: RF Amplifier
Product Type: RF Amplifier
Series: HMC1132
Subcategory: Wireless & RF Integrated Circuits
Technology: GaAs
Test Frequency: 27 GHz to 32 GHz
Type: Power Amplifiers
ECCN 3A001B2D
HTSUS 8542.33.0001
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Package Strip
Package / Case 32-LFQFN Exposed Pad, CSP
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 32-LFCSP-CAV (5x5)
Вес, г 4.61

Техническая документация

Datasheet
pdf, 342 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем