CSD18504Q5AT, MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET

CSD18504Q5AT, MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
330 руб.
от 10 шт.260 руб.
от 100 шт.195 руб.
от 250 шт.177.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.
Номенклатурный номер: 8004693788
Артикул: CSD18504Q5AT
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Development Kit: EM1402EVM
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 750
Fall Time: 2 ns
Forward Transconductance - Min: 71 S
Id - Continuous Drain Current: 75 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: VSONP-8
Pd - Power Dissipation: 77 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 16 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 6.6 mOhms
Rise Time: 6.8 ns
Series: CSD18504Q5A
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: NexFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 12 ns
Typical Turn-On Delay Time: 3.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
Вес, г 0.31

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов