2N2925 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

2N2925 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4308 шт., срок 6-8 недель
180 руб.
от 10 шт.150 руб.
от 100 шт.95 руб.
от 500 шт.76.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004700438
Артикул: 2N2925 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 25V 160MHz Through Hole TO-92

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 25 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 25 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 235
DC Current Gain hFE Max: 470
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 160 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
ECCN EAR99
Frequency - Transition 160MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Package Bulk
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet
pdf, 191 КБ
Datasheet
pdf, 193 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.