FF400R07A01E3S6XKSA2, IGBT Modules HYBRID PACK DSC SI

Фото 1/3 FF400R07A01E3S6XKSA2, IGBT Modules HYBRID PACK DSC SI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
30 820 руб.
от 25 шт.26 840 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 30 820 руб.
Номенклатурный номер: 8004723154
Артикул: FF400R07A01E3S6XKSA2

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
HybridPACK™ DSC S1 IGBT Module

Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S1 IGBT Module is a very compact half-bridge module designed for hybrid and electric vehicles. This module consists of on-die integrated current sensor and temperature sensor that allow precise monitoring of the IGBT state. The IGBT module features increased blocking voltage capability to 700V, integrated current sensor, integrated temperature sensor, low inductive design, and low switching losses. This IGBT module has an innovative and small package that is designed for Double Sided Cooling (DSC) with superior thermal performance. The HybridPACK™ DSC S1 IGBT Module offers 2.5kV AC of insulation and is RoHS compliant. This IGBT module is ideal for use in automotive applications and Hybrid Electrical Vehicles (H)EV.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Configuration: Half Bridge
Continuous Collector Current at 25 C: 400 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Tube
Part # Aliases: FF400R07A01E3_S6 SP001661226
Pd - Power Dissipation: 1500 W
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Product: IGBT Silicon Modules
Series: Trenchstop IGBT3-E3
Subcategory: IGBTs
Tradename: TRENCHSTOP HybridPACK
Channel Type N
Configuration Dual
Maximum Collector Emitter Voltage 700 V
Maximum Continuous Collector Current 400 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Number of Transistors 2
Package Type PG-MDIP-14
Pin Count 14
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 700В
Continuous Collector Current 400А
DC Ток Коллектора 400А
Power Dissipation 1.5кВт
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции HybridPACK
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 700В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.65В
Рассеиваемая Мощность 1.5кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Automotive Unknown
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Packaging Tube
Part Status Active
PPAP Unknown
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 729 КБ
Datasheet
pdf, 688 КБ
Datasheet
pdf, 855 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов