FP50R12KT4PBPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 350 руб.
от 10 шт. —
29 770 руб.
от 20 шт. —
29 750 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 39 350 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The Infineon EasyPIM three phase input IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 technology. It has collector emitter voltage of 1200 V and forward current of 50 A.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package / Case: | EconoPIM2 |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | FP50R12KT4P SP001255990 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | Trenchstop IGBT4-T4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP EconoPIM |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Number of Transistors | 7 |
| Package Type | EASY2B |
| Вес, г | 180 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 900 КБ
Datasheet FP50R12KT4PBPSA1
pdf, 710 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
