FS820R08A6P2BBPSA1, IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE

Фото 1/3 FS820R08A6P2BBPSA1, IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
132 400 руб.
от 12 шт.118 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 132 400 руб.
Номенклатурный номер: 8004723161
Артикул: FS820R08A6P2BBPSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Приводные модули HybridPACK™ 750 В

Приводные модули Infineon 750 В HybridPACK™ представляют собой очень компактные силовые модули, оптимизированные для применения в гибридных и электрических транспортных средствах (xEV). HybridPACK Drive поставляется с механическими направляющими элементами, облегчающими процесс сборки. Кроме того, запрессовываемые контакты для сигнальных клемм позволяют избежать трудоемких процессов селективной пайки, что обеспечивает экономию средств на уровне системы и повышает ее надежность.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 750 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.1 V
Configuration: 6-Pack
Continuous Collector Current at 25 C: 450 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 6
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Part # Aliases: FS820R08A6P2B SP001499708
Pd - Power Dissipation: 714 W
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Product: IGBT Silicon Modules
Series: IGBT EDT2
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: HybridPACK PressFIT
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 750 V
Maximum Continuous Collector Current 820 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 6
Package Type HYBRID
Pin Count 20
Transistor Configuration Six Pack
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1876 КБ
Datasheet
pdf, 1876 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов