IKZ75N65EL5XKSA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 490 руб.

от 25 шт. — 1 770 руб.

от 100 шт. — 1 470 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 490 руб.

Номенклатурный номер: 8004723234

Артикул: IKZ75N65EL5XKSA1

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Pd - рассеивание мощности	536 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IKZ75N65EL5 SP001174456
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	100 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	TRENCHSTOP 5 L5
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-4
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation	536 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	4
Вес, г	1