IXFK200N10P, MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
![Фото 1/3 IXFK200N10P, MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880064.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529484.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/251/DOC034251130.jpg)
4 550 руб.
от 10 шт. —
4 000 руб.
от 25 шт. —
3 130 руб.
от 50 шт. —
2 800.71 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 550 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 200А, 830Вт, TO264 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
Fall Time: | 90 ns |
Forward Transconductance - Min: | 60 S |
Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-264-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 830 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 235 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
Rise Time: | 35 ns |
Series: | IXFK200N10 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | HiPerFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet IXFX200N10P
pdf, 209 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары