Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Ixys › IXFX26N120P, MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds

IXFX26N120P, MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 700 руб.

от 10 шт. — 7 810 руб.

от 30 шт. — 6 130 руб.

от 60 шт. — 5 988.88 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 700 руб.

Номенклатурный номер: 8004724456

Артикул: IXFX26N120P

Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 32 Amps 1200V 0.46 Rds

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	26 A
Pd - рассеивание мощности	960 W
Qg - заряд затвора	255 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	6.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	55 ns
Время спада	58 ns
Высота	21.34 mm
Длина	16.13 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	13 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFX26N120
Технология	Si
Тип	Polar HiPerFET Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	76 ns
Типичное время задержки при включении	56 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.21 mm
Вес, г	8