BC858BHZGT116, Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin

Фото 1/2 BC858BHZGT116, Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3012 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
от 10 шт.75 руб.
от 100 шт.45 руб.
от 1000 шт.23.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8004725623
Артикул: BC858BHZGT116
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 350 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № BC858BHZG
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 210
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 480
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 650 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 250 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок SOT-23-3
Base Product Number BC858 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SST3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Collector Emitter Voltage Max 30В
Continuous Collector Current 100мА
DC Усиление Тока hFE 210hFE
Power Dissipation 350мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Частота Перехода ft 250МГц
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet BC858BHZGT116
pdf, 1374 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.