BC858BHZGT116, Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3012 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
от 10 шт. —
75 руб.
от 100 шт. —
45 руб.
от 1000 шт. —
23.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | BC858BHZG |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 210 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 480 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Base Product Number | BC858 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
Supplier Device Package | SST3 |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Collector Emitter Voltage Max | 30В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Усиление Тока hFE | 210hFE |
Power Dissipation | 350мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Частота Перехода ft | 250МГц |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet BC858BHZGT116
pdf, 1374 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.