BC51PASX, Bipolar Transistors - BJT BC51PAS/SOT1061/HUSON3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2507 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
от 10 шт. —
90 руб.
от 100 шт. —
53 руб.
от 1000 шт. —
26.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power Transistors
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1.65 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at - 150 mA, - 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at - 150 mA, - 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DFN2020D-3 |
| Brand | Nexperia |
| Collector- Base Voltage VCBO | -45 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -500 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 63 at-150 mA, -2 V |
| DC Current Gain HFE Max | 250 at-150 mA, -2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 145 MHz |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum DC Collector Current | -2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN-2020D-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1.65 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Subcategory | Transistors |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | PNP |
| Вес, г | 0.0033 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 882 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
