SI2316BDS-T1-E3, MOSFET 30V 4.5A 1.66W

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

от 10 шт. — 150 руб.

от 100 шт. — 93 руб.

от 500 шт. — 75.01 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

Номенклатурный номер: 8004728683

Артикул: SI2316BDS-T1-E3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 30V 4.5A 1.66W

Другие названия товара №	SI2316BDS-E3
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	3.9
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	50@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	3
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1250
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Packaging	Tape and Reel
Part Status	NRND
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-23
Typical Fall Time (ns)	7\|23
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	6.35
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	6.35@10V\|3.16@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	350@15V
Typical Rise Time (ns)	11\|65
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	11\|12
Typical Turn-On Delay Time (ns)	4.5\|20
Вес, г	0.008