SI7456DP-T1-GE3, MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
от 10 шт. —
460 руб.
от 100 шт. —
356 руб.
от 250 шт. —
317.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.3 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SI7456DP-GE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 5.2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Series: | SI7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.7 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 25@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 5200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK SO |
| Typical Fall Time (ns) | 26 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 36 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 36@10V |
| Typical Rise Time (ns) | 10 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 46 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Вес, г | 0.5066 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![2SK1358, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK2847, Транзистор, N-канал, DC/DC конверторы, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC000219587.jpg)
![2П301Б, Транзистор, P-канальный с изолированным затвором [КТ-114]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC000215703.jpg)
![2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SK2837, Транзистор, N-канал, высокоскоростной, высокоточные ключи, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242335.jpg)
