SI7806ADN-T1-E3, MOSFET 30V 14A 0.011Ohm

SI7806ADN-T1-E3, MOSFET 30V 14A 0.011Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт.320 руб.
от 100 шт.235 руб.
от 500 шт.185.89 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 420 руб.
Номенклатурный номер: 8004728716
Артикул: SI7806ADN-T1-E3

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Vishay Semiconductors
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Id - Continuous Drain Current: 14 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: PowerPAK-1212-8
Part # Aliases: SI7806ADN-E3
Pd - Power Dissipation: 3.7 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 11 mOhms
Series: SI7
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: TrenchFET
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.92

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов