SI7806ADN-T1-E3, MOSFET 30V 14A 0.011Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
235 руб.
от 500 шт. —
185.89 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
Part # Aliases: | SI7806ADN-E3 |
Pd - Power Dissipation: | 3.7 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 20 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
Series: | SI7 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.92 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары