Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI1308EDL-T1-BE3, MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S)

SI1308EDL-T1-BE3, MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

от 10 шт. — 95 руб.

от 100 шт. — 53 руб.

от 1000 шт. — 33.96 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 8004729407

Артикул: SI1308EDL-T1-BE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SC-70; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:1.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thresho 36AJ8049

Технические параметры

Brand:	Vishay/Siliconix
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	8 ns
Id - Continuous Drain Current:	1.5 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-323-3
Part # Aliases:	SI1308EDL-T1-GE3
Pd - Power Dissipation:	400 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	2.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	132 mOhms
Rise Time:	13 ns
Series:	SI1
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	TrenchFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	15 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Вес, г	1