SI7101DN-T1-GE3, MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

360 руб.

от 10 шт. — 280 руб.

от 100 шт. — 202 руб.

от 500 шт. — 159.54 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.

Номенклатурный номер: 8004729421

Артикул: SI7101DN-T1-GE3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

Id - непрерывный ток утечки	35 A
Pd - рассеивание мощности	52 W
Qg - заряд затвора	68 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	8 ns
Высота	1.04 mm
Длина	3.3 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	44 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI7
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	38 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8
Ширина	3.3 mm
Вес, г	1