SI7540ADP-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 10 шт. —
380 руб.
от 100 шт. —
295 руб.
от 250 шт. —
270.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 12 A, 9 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
Pd - Power Dissipation: | 3.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 27 nC, 48 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms, 28 mOhms |
Series: | SI7 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV, 1.4 V |
Вес, г | 0.51 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары