SI7540ADP-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7540ADP-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
500 руб.
от 10 шт.380 руб.
от 100 шт.295 руб.
от 250 шт.270.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8004729424
Артикул: SI7540ADP-T1-GE3

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Vishay Semiconductors
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Id - Continuous Drain Current: 12 A, 9 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: PowerPAK-SO-8
Pd - Power Dissipation: 3.5 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 27 nC, 48 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 15 mOhms, 28 mOhms
Series: SI7
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: TrenchFET
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 600 mV, 1.4 V
Вес, г 0.51

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов