SIHP052N60EF-GE3, MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 640 руб.
от 10 шт. —
1 460 руб.
от 25 шт. —
1 230 руб.
от 100 шт. —
1 030.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 640 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор EF Series Pwr МОП-транзистор w/Fast Body Diode
Технические параметры
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | EF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 48 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.052 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Series | SiHP052N60EF |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 276 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов