SIHP052N60EF-GE3, MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

Фото 1/2 SIHP052N60EF-GE3, MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 640 руб.
от 10 шт.1 460 руб.
от 25 шт.1 230 руб.
от 100 шт.1 030.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 640 руб.
Номенклатурный номер: 8004729464
Артикул: SIHP052N60EF-GE3

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор EF Series Pwr МОП-транзистор w/Fast Body Diode

Технические параметры

Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия EF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 48 A
Maximum Drain Source Resistance 0.052 Ω
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Series SiHP052N60EF
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 276 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов