ADP3120AJRZ-RL, Gate Drivers 2 12V FET DRVR W/OUT DIS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
116 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Half Bridge 2 MOSFET 20ns 11ns 4.6V~13.2V SO-8 Gate Drive ICs ROHS
Технические параметры
Driven Configuration | Half Bridge |
Fall Time | 11ns |
Load Type | MOSFET |
Number of Drivers | 2 |
Operating Temperature | -20℃~+150℃@(Tj) |
Peak Output Current(sink) | - |
Rise Time | 20ns |
Supply Voltage | 4.6V~13.2V |
Case | SO8 |
Impulse rise time | 20ns |
Integrated circuit features | integrated bootstrap functionality |
Kind of integrated circuit | high-/low-side, MOSFET gate driver |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
Number of channels | 2 |
ProtectionOCP - Over Current Protection OPP - Over Power Protection OVP - Under Voltage Protection SCP - Short Circuit Protection OTP - Over Temperature Protection BOP - Brown-Out Protection | overheating OTP, undervoltage UVP |
Pulse fall time | 11ns |
Type of integrated circuit | driver |
Voltage class | 35V |
Driver Type | High and Low Side |
Operating Supply Voltage (Max) | 13.2 V |
Operating Supply Voltage (Min) | 4.15 V |
Operating Temp Range | -20C to 85C |
Operating Temperature Classification | Commercial |
Output Resistance | 3.3 ohm |
Package Type | SOIC N |
Packaging | Tape and Reel |
Peak Output Current | 1500 |
Pin Count | 8 |
Propagation Delay Time | 70 ns |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet ADP3120AJRZ-RL
pdf, 83 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем