AS4C16M32MSA-6BIN, DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT

AS4C16M32MSA-6BIN, DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 140 руб.
от 10 шт.1 870 руб.
от 25 шт.1 830 руб.
от 100 шт.1 426.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 140 руб.
Номенклатурный номер: 8004741092
Артикул: AS4C16M32MSA-6BIN

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
SDRAM - ИС памяти Mobile SDRAM 512 МБ (16M x 32) Параллельный 166 МГц 5,4 нс 90-FBGA (8x13)

Технические параметры

Access Time: 5.5 ns
Brand: Alliance Memory
Data Bus Width: 32 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 190
Manufacturer: Alliance Memory
Maximum Clock Frequency: 166 MHz
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 512 Mbit
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 16 M x 32
Package / Case: FBGA-90
Packaging: Tray
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Series: AS4C16M32MSA
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 50 mA
Supply Voltage - Max: 1.95 V
Supply Voltage - Min: 1.7 V
Type: SDRAM Mobile
Access Time 5.4ns
Clock Frequency 166MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0028
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 512Mb (16M x 32)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 90-VFBGA
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 90-FBGA (8x13)
Technology SDRAM - Mobile SDRAM
Voltage - Supply 1.7V ~ 1.95V
Write Cycle Time - Word, Page 15ns

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем