MR0A16AYS35, MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
739 шт., срок 7-9 недель
4 610 руб.
от 10 шт. —
4 060 руб.
от 25 шт. —
3 700 руб.
от 100 шт. —
3 013.01 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 610 руб.
Описание
Semiconductors\Memory ICs\MRAM
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) uses a 1 Transistor - 1 Magnetic Tunnel Junction (1T-1MTJ) architecture. These MRAM devices offer significantly long Data Retention (20+ years) and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.
Технические параметры
| Access Time: | 35 ns |
| Brand: | Everspin Technologies |
| Data Bus Width: | 16 bit |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 135 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Everspin Technologies |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Memory Size: | 1 Mbit |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Supply Current: | 105 mA |
| Organization: | 64 k x 16 |
| Package / Case: | TSOP-44 |
| Packaging: | Tray |
| Product Category: | MRAM |
| Product Type: | MRAM |
| Series: | MR0A16A |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 3 V |
| Вес, г | 15.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 914 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
