Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › WOLFSPEED › C3M0120090D, МОП-транзистор, N Канал, 23 А ...

C3M0120090D, МОП-транзистор, N Канал, 23 А, 900 В, 0.12 Ом, 15 В, 2.1 В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

202 шт., срок 7-9 недель

2 540 руб.

от 5 шт. — 2 340 руб.

от 10 шт. — 2 180 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 540 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8223186111

Артикул: C3M0120090D

Бренд: WOLFSPEED

Описание

Описание Транзистор полевой C3M0120090D производства Wolfspeed – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Отличается высокой надежностью и долговечностью в работе. Транзистор способен выдерживать ток стока до 23 А и напряжение сток-исток до 900 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,12 Ом, обеспечивая высокую эффективность. Мощность устройства достигает 97 Вт. Транзистор упакован в надежный корпус TO247-3, гарантирующий его устойчивость к физическим воздействиям и перегреву. Используйте C3M0120090D для повышения эффективности ваших электронных проектов. Код товара для удобства поиска и заказа: C3M0120090D. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	23
Напряжение сток-исток, В	900
Мощность, Вт	97
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.12
Корпус	TO247-3

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	4.8V
Maximum Continuous Drain Current	23 A
Maximum Drain Source Resistance	155 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	900 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +18 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	97 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.8V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	SiC
Typical Gate Charge @ Vgs	17.3 nC @ 15 V
Width	21.1mm
Brand:	MACOM
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Fall Time:	8 ns
Id - Continuous Drain Current:	23 A
Manufacturer:	MACOM
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	97 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Product:	Power MOSFETs
Qg - Gate Charge:	17.3 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	120 mOhms
REACH - SVHC:	Details
Rise Time:	10 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	SiC
Transistor Polarity:	N-Channel
Type:	Silicon Carbide MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	25 ns
Typical Turn-On Delay Time:	27 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	900 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-8 V, +19 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.1 V
Вес, г	8.234