IF3601T39, JFET JFET N-Channel -20V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт., срок 7-9 недель
6 420 руб.
от 10 шт. —
5 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 420 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
IF3601 N-Channel JFETInterFET IF3601 JFET is targeted for ultra low noise high gain amplifier designs. The IF3601 has a cutoff voltage of less than 2.0V ideal for low voltage applications. InterFET IF3601 JFET comes in a TO-39 package, is hermetically sealed, and suitable for military applications.
Технические параметры
Brand: | InterFET |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 30 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Forward Transconductance - Min: | 750 mS |
Gate-Source Cutoff Voltage: | -2 V |
Id - Continuous Drain Current: | 500 pA |
Manufacturer: | InterFET |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-39-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Series: | IF360 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -20 V |
Вес, г | 0.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 277 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.