IF4500ST3TR, JFET JFET N-Channel -20V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
993 шт., срок 7-9 недель
830 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
от 25 шт. —
604 руб.
от 100 шт. —
467.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 830 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
IF4500 N-Channel JFETsInterFET IF4500 N-Channel JFETs offer a continuous forward gate current of 10mA and a continuous power dissipation rating of 225mW. The IF4500 JFETs feature a cutoff voltage of less than 1.5V and is available in a TO-72 or SOT23 package. The TO-72 is hermetically sealed. InterFET IF4500 N-Channel JFETs are RoHS compliant and ideal for low voltage and military applications.
Технические параметры
| Brand: | InterFET |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 5 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Forward Transconductance - Min: | 15 mS |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -1.5 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 pA |
| Manufacturer: | InterFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Series: | IF4500 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 15 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -20 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 346 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
