IF9030T52, JFET JFET N-Channel -20V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 шт., срок 7-9 недель
5 550 руб.
от 10 шт. —
4 390 руб.
от 25 шт. —
4 100 руб.
от 50 шт. —
3 692.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 550 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
IF9030 N-Channel JFETInterFET IF4500 N-Channel JFET is a low noise, high gain amplifier in a TO-52 package. IF4500 JFETs deliver a continuous forward gate current of 10mA and a continuous power dissipation rating of 300mW. InterFET IF4500 N-Channel JFETs are targeted for low noise, high gain amplifier designs, RoHS compliant, and ideal for low noise, high gain amplifier applications.
Технические параметры
| Brand: | InterFET |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 300 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -2 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 pA |
| Manufacturer: | InterFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-52-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Series: | IF9030 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -20 V |
| Вес, г | 2.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 297 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
