SMPJ201, JFET JFET N-Channel -40V Low Ciss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1511 шт., срок 7-9 недель
880 руб.
от 10 шт. —
690 руб.
от 100 шт. —
483 руб.
от 250 шт. —
444.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 880 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
Brand: | InterFET |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 1 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
Forward Transconductance - Min: | 0.5 mS |
Gate-Source Cutoff Voltage: | -1.5 V |
Id - Continuous Drain Current: | 50 mA |
Manufacturer: | InterFET |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -40 V |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 783 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.