BC847BS_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOS EDUALTRANSISTOR VCE45V IC100mA SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42101 шт., срок 6-8 недель
54 руб.
от 10 шт. —
39 руб.
от 100 шт. —
23 руб.
от 1000 шт. —
10.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
| DC Current Gain hFE Max: | 450 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DT-02TSN |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 176 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![КТ3130А9, Транзистор NPN 50В 0.1А 150мГц 0.1Вт [КТ-46]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![КТ816А, Биполярный транзистор, PNP, -40В, -3А, 25Вт, 3МГц, h21e=25…275 [КТ-27 / TO-126]](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278800.jpg)
