PJS6601_S1_00001, MOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5153 шт., срок 6-8 недель

130 руб.

от 10 шт. — 110 руб.

от 100 шт. — 74 руб.

от 500 шт. — 55.03 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 8004772565

Артикул: PJS6601_S1_00001

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Brand:	Panjit
Channel Mode:	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	10 ns, 45 ns
Id - Continuous Drain Current:	4.1 A, 3.1 A
Manufacturer:	Panjit
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	2 Channel
Package / Case:	SOT-23-6
Pd - Power Dissipation:	1.25 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	4.6 nC, 5.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	56 mOhms, 100 mOhms
Rise Time:	47 ns, 27 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel, P-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	18 ns, 78 ns
Typical Turn-On Delay Time:	4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	20 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V
Вес, г	0.0142

pdf, 576 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем