W63AH2NBVABE, DRAM 1Gb LPDDR3, x32, 800MHz

W63AH2NBVABE, DRAM 1Gb LPDDR3, x32, 800MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
553 шт., срок 6-8 недель
1 550 руб.
от 10 шт.1 310 руб.
от 100 шт.1 040 руб.
от 189 шт.956.13 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 550 руб.
Номенклатурный номер: 8004797526
Артикул: W63AH2NBVABE

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
DRAM Product Portfolio

Winbond DRAM Product Portfolio consists of Mobile RAM and Specialty DRAM for consumer, communication, peripheral, industrial, and automobile markets. Specialty DRAM features high performance and high speed for a complete solution. SDR, DDR, DDR2, and DDR3 feature support for industrial and automotive applications with AEC-Q100, TS16949, ISO9001/14001, OHSAS18001 certificates. Winbond provides professional advice to KGD customers, including SiP package bonding & power/thermal, DRAM simulation, wafer level on speed test, and more.

Технические параметры

Brand: Winbond
Data Bus Width: 32 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 189
Manufacturer: Winbond
Maximum Clock Frequency: 800 MHz
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 1 Gbit
Minimum Operating Temperature: -25 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 32 M x 32
Package / Case: VFBGA-178
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Series: W63AH2NB
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 36 mA
Supply Voltage - Max: 1.95 V
Supply Voltage - Min: 1.14 V
Type: SDRAM-LPDDR3

Техническая документация

Datasheet W63AH2NBVABE
pdf, 2088 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.