2N2219Ae3, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 210 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 0.1 mA, 10 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 325 at 1 mA, 10 V |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-39-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2N2219Ae3
pdf, 166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов