APT100GT120JU3, IGBT Modules DOR CC0007
11 100 руб.
от 25 шт. —
8 580 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 100 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 140 A |
Factory Pack Quantity: | 1 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | ISOTOP-4 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 480 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Carbide Modules |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | SiC |
Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 561 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов