APT13GP120BDQ1G, IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 13 A TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 980 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 980 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.3 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 41 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 20A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 55nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 250W |
| Pulsed collector current | 50A |
| Technology | POWER MOS 7®, PT |
| Turn-off time | 270ns |
| Turn-on time | 21ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 5.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 431 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
