APT30GP60BG, IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Single 600 V 30 A TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 240 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 240 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Транзистор IGBT, 600В, 49А, 463Вт, TO247-3, POWER MOS 7®
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
Factory Pack Quantity: | 1 |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 463 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Case | TO247-3 |
Collector current | 49A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Gate charge | 90nC |
Gate-emitter voltage | ±30V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
Mounting | THT |
Power dissipation | 463W |
Pulsed collector current | 120A |
Technology | POWER MOS 7® |
Turn-off time | 164ns |
Turn-on time | 31ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов