APT40GR120S, IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-268
2 290 руб.
от 10 шт. —
2 170 руб.
от 25 шт. —
1 820 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 290 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 88 A |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 263 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247]](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC004153676.jpg)
![FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
