APT54GA60BD30, IGBT Transistors IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 54 A TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 170 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 96 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 96 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 416 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 227 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
