APT85GR120J, IGBT Modules IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 780 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 780 руб.

Номенклатурный номер: 8004809548

Артикул: APT85GR120J

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

Pd - рассеивание мощности	595 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	118 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	1
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 nA
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	ISOTOP-4
Вес, г	1

Мы рекомендуем